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详细资料：

一、湿法腐蚀机用途和特点：

1、用途：主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。

2、湿法腐蚀机特点：

（1）外观整洁、美观，占地面积小，节省超净间的使用面积；

（2）VoD顶盖阀门控制技术避免二次污染；

（3）显影腐蚀液独立的试剂供给管路；

（4）处理腔内差压精准控制；

（5）满足2英寸~8英寸的防腐托盘；

（6）试剂注射角度可调节；

（7）独特设计的“腔洗”构造，保证“干进干出”；

（8）湿法腐蚀机具备高性能、低故障率、长使用寿命、易操作维修、造型美观、售后服务完备。

二、工作原理：

显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。

三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）

光刻胶显影（KrF/ArF）

SU8厚胶显影

显影后清洗

PostCMP清洗

光罩去胶清洗

光刻胶去除

金属Lift-off处理

刻蚀微刻蚀处理

四、主要技术参数：

1. 系统概述

1.1智能嵌锁，系统盖板具有智能嵌锁装置，确保操作安全；

1.2保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；

1.3通信接口，蓝牙连接；

2. 基片及处理方式

2.1 基片尺寸满足直径200mm以内基底材料；

2.2 基片处理方式，手动上下载；

3. 控制系统

3.1 用户界面，650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件；

3.2 最大可存储20个程序段；

3.3 最大51 骤工艺步骤；

3.4时间设定范围，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；

3.5最大旋转速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (带安全罩)；

3.6马达加速度，1–12,000 rpm/s ；

4. 试剂分配系统

4.1 化学试剂分配

4.1.1 A标准腔洗 Bowl Wash 1路纯水和1路氮气；

4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路纯水；

4.1.3 C 样片冲洗甩干1路纯水和1路氮气；

4.1.4 D 自定义化学试剂可同时接入（根据用户应用选择几路液体）自定义的化学试剂（显影液/腐蚀液/其他清洗液）；

4.2试剂供给方式

*4.2.1 A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体（可用氮气替代）由实验室自行供应；

4.2.2 B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给；

4.3 注射装置采用日本原装进口雾的池内专用喷嘴；

产品分类

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