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SANTEC/TMS-2000/高重复性模型
详细资料:产品描述: Santec 的新系统 TMS-2000 为半导体晶圆厚度的高精度亚纳米测绘带来了新的动态。 TMS-2000 采用一种新颖的激光扫描方法(以前未在行业中用于晶圆测绘),为行业带来了多项优势;对温度变化不敏感的精确厚度测量,单个系统不仅可以测量 Si 单层,还可以测量 SiC 和 GaN 等功率半导体以及 SOI 等多层晶圆,其成本点对生产中广泛部署具有吸引力。随着半导体器件尺寸的减小,光刻工艺的公差变得更加精细,提高了晶圆厚度和场地平整度测量的高精度的重要性。对于非接触式,业界一直依赖外差干涉或斐索条纹分析系统进行亚纳米精度测量,但这些系统在普遍采用方面存在一些缺点。当前的这些解决方案需要正面和背面晶圆照明,对温度变化和振动敏感,并且复杂性和成本很高。 Santec TMS-2000 解决了当前解决方案中发现的所有问题。 特点: 测量精度高:运用干涉检测技术,重复精度可达 1nm,能精确测量晶圆厚度和平整度。
测量参数丰富:可以分析全局(GFLR、GFLD、GBIR)、站点(SFQR、SFQD、SBIR)、边缘(ESFQR)等参数,符合 SEMI 标准。
环境耐受性强:对温度变化和振动不敏感,无需温度控制或振动对策,可在多种环境下稳定工作。
设备尺寸紧凑:体积较小,适合多种应用场景,便于安装和使用。
扫描速度快:具备螺旋扫描功能,可实现高速、高密度扫描,提高测量效率。
适用范围广:不仅可测量单层硅,还适用于碳化硅、氮化镓等功率半导体以及 SOI 等多层晶圆,也能用于重掺杂硅的测量,且采用单面照明方式。
成本优势明显:与传统解决方案相比,具有一定的成本优势,更有利于在生产中广泛部署。
仪器保证:我们的大多数设备在装运之前均经过严格的质量检测与校验。也可申请国家计量证书。 |
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